本文目录一览：
- 1、高斯光束的波阵面特征是什么
- 2、几何光学的高斯光学
- 3、简述高斯投影原理
- 4、光学高斯公式
- 5、高斯原理是什么?
- 6、高斯定理怎么推出来的?
高斯光束的波阵面特征是什么
高斯光束的波阵面特征如下：高斯光束不同于点光源所发出的球面波和平行光束的平面波，是一种特殊形式的光束。
光斑半径逐渐增大，光斑的中心振幅逐渐减小。根据豆丁网资料显示，基模高斯光束光斑花样特点是光斑半径逐渐增大，光斑的中心振幅逐渐减小。
波阵面从束腰位置向前传播，逐渐变成曲面，直到等相面曲率半径位置达到最小。
几何光学的高斯光学
1、几何光学中研究和讨论光学系统理想成像性质的分支称为高斯光学，或称近轴光学。它通常只讨论对某一轴线(即光轴)具有旋转对称性的光学系统。如果从物点发出的所有光线经光学系统以后都交于同一点，则称此点是物点的完善像。
2、成像公式，即透镜成像公式、高斯成像公式，其形式为1/f=1/u+1/v。其中f为焦距，凸正凹负；u为物距；v为像距，实正虚负。凸透镜的成像规律是1/u+1/v=1/f（即：物距的倒数与像距的倒数之和等于焦距的倒数。
3、两个。高斯光学又称近轴光学，是几何光学中研究共轴光学系统近轴区成像规律的一个分支。高斯模型共有两个轴，分别为实轴和虚轴。
4、高斯光学的理论是进行光学系统的整体分析和计算有关光学参量的必要基础。利用光学系统的近轴区可以获得完善成像，但没有什么实用价值。
简述高斯投影原理
1、椭圆柱的中心轴通过椭球体中心，然后用一定投影方法，将中央子午线两侧各一定经差范围内的地区投影到椭圆柱面上，再将此柱面展开即成为投影面，此投影为高斯投影。高斯投影是正形投影的一种。
2、高斯投影原理：小面积测图时可不考虑地球曲率的影响，直接将地面点沿铅垂线投影到水平面上，并用直角坐标系表示投影点的位置，可以不进行复杂的投影计算。
3、注意，这里的变形指得是长度变形，高斯投影是一种正形投影，投影后角度即形状不变，但是长度比是会发生变化的。具体原理可以参考《地图学》，是通过微分几何来解释的。
4、为了解决地球曲面与地图平面之间的矛盾，采用的是高斯投影的原理。
5、将椭圆柱面沿过南北极的母线剪开展平，即为高斯投影平面。取中央子午线与赤道交点的投影为原点，中央子午线的投影为纵坐标x轴，赤道的投影为横坐标y轴，构成高斯克吕格平面直角坐标系。
光学高斯公式
1、物距像距焦距的公式是：1/f=1/u+1/v。其中f为焦距，凸正凹负；u为物距；v为像距，实正虚负。物距像距焦距的公式又叫做“成像公式”，即透镜成像公式、高斯成像公式。是由物理学家“高斯”所提出的一种理论。
2、物距：u像距：v焦距：f关系：1/u+1/v=1/f光学中最基本的高斯成像公式：1/u+1/v=1/f，即物距的倒数加上像距的倒数等于焦距的倒数。物像之间的因果关系，是有物才会有像的。
3、物和像的位置关系由下式表示：f/s+f/s=1此式称高斯公式。物、像位置也可用x、x表示，两者间的关系为：xx=ff此式称牛顿公式。
高斯原理是什么?
如果对于一个闭合曲面，定义向外为正法线的指向，则进入曲面的磁通量为负，出来的磁通量为正，那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。
高斯定理是从库仑定律直接导出的，它完全依赖于电荷间作用力的二次方反比律。把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体，就得到导体内部无净电荷的结论，因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。
高斯定理，又称为高斯通量定理，是物理学中的一个基本定理，描述了电场或磁场通过某一闭合曲面的总通量与该闭合曲面内的电荷或磁荷之间的关系。
定义高斯模型就是用高斯概率密度函数（正态分布曲线）精确地量化事物，将一个事物分解为若干的基于高斯概率密度函数（正态分布曲线）形成的模型。
高斯定律（Gauss law），属物理定律。在静电场中，穿过任一封闭曲面的电场强度通量只与封闭曲面内的电荷的代数和有关，且等于封闭曲面的电荷的代数和除以真空中的电容率。
高斯定律：在静电场中，穿过任一封闭曲面的电场强度通量只与封闭曲面内的电荷的代数和有关，且等于封闭曲面的电荷的代数和除以真空中的电容率。表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。
高斯定理怎么推出来的?
用高斯定理∮EdS=q/ε，可以设计一个这样的屠则得2ES=Sσ/ε，E=σ/2ε。
高斯定理是从库仑定律直接导出的，它完全依赖于电荷间作用力的平方反比律。把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体，就得到导体内部无净电荷的结论，因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。
高斯定理数学公式是∮F·dS=∫(▽·F)dV。高斯定律显示了封闭表面的电荷分布和产生的电场之间的关系。设空是有界闭区域ω，其边界ω是分段光滑闭曲面。函数P(x，y，z)，Q(x，y，z)。
高斯定理是高斯从库仑定律直接导出的，它完全依赖于电荷间作用力的二次方反比律，把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体，就得到导体内部无净电荷的结论，因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。
式⑦是磁通连续性原理的微分形式，说明磁通密度B的散度恒等于零，即B线是无始无终的。也就是说不存在与电荷对应的磁荷。式⑧是静电场高斯定律的推广，即在时变条件下，电位移D的散度仍等于该点的自由电荷体密度。
